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《光纤传感技术》实验讲义(P28)

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  《光纤传感技术》实验讲义(P28) 《光纤传感技术》实验讲义 实验一 LED 发光二极管 I—P 特性曲线测试 实验二 光纤纤端光场径向分布的测试 实验三 光纤纤端光场轴向分布的测试 实验四 反射式光纤位移传感实验 实验五 微弯式光纤位移传感器 实验六 光纤传感器应用——转速与震动测试 实验七 光纤传感器应用——温度测量 实验八 光纤光栅应变传感实验 实验九 光纤光栅温度传感实验 华侨大学信息科学与工程学院 实验一 LED 发光二极管 I—P 特性曲线测试 ...

  《光纤传感技术》实验讲义 实验一 LED 发光二极管 I—P 特性曲线测试 实验二 光纤纤端光场径向分布的测试 实验三 光纤纤端光场轴向分布的测试 实验四 反射式光纤位移传感实验 实验五 微弯式光纤位移传感器 实验六 光纤传感器应用——转速与震动测试 实验七 光纤传感器应用——温度测量 实验八 光纤光栅应变传感实验 实验九 光纤光栅温度传感实验 华侨大学信息科学与

  学院 实验一 LED 发光二极管 I—P 特性曲线、了解发光二极管及 PIN 探测器的基本构造和原理; 2、了解发光二极管的工作特性; 3、熟练掌握发光二极管的 I—P 特性,掌握发光二极管 I—P 特性曲线、测量一组 P、I 值并绘出不同 I—P 特性曲线。 二 实验仪器 光纤传感实验仪主机,发射、接收光纤。 图 1 光纤传感实验仪主机 0 0 0 0 0 0 0 0 DL UL mA µW mV FOS-III Fiber-optic Sensing Instrument 光纤传感实验仪 哈尔滨智能光电 科技有限公司 LED PIN AUTO PRO RET DOWN UP LED—光源输出插座; PIN—光探测器输入插座; AUTO—自动步进键; PRO—编程控制键; UP、DOWN—配合 PRO 设定输出电流上下限; SET—设置键; UL、DL、mA、mV、µV—仪器显示状态指示灯。 PIN 黑色 图3发射接收光纤组件 透射接受探头 三 发光二极管及 PIN 探测器的基本构造和原理 光源是光发射机的关键器件,其功能是把电信号转换为光信号。目前很常用的光 1 源主要有半导体激光二极管和发光二极管。发光二极管简称 LED(Light Emitting Diode), 它的输出光功率(P)随着驱动电流(I)的变化而变化。测量 LED 光源的 I—P 特性曲 线有很重要的理论意义和工程应用意义。 1、发光二极管的结构及发光机理 发光二极管发射的是自发辐射光。发光二极管 LED 的结构大多是采用双异质结(DH) 芯片,把有源层夹在 P 型和 N 型限制层中间。发光二极管有两种类型:一类是正面发光 型 LED,另一类是侧面发光型 LED,其结构示于图 1.1。和正面发光型 LED 相比,侧面 发光型 LED 驱动电流较大.输出光功率较小,但由于光束辐射角较小,与光纤的耦合率 较高,因而入纤光功率比正面发光型大。 图 1.1 在电场作用下,半导体材料发光是基于电子能级跃迁的原理。如图 1.2 所示,当发 光二极管的 PN 结上加有正向电压时,外加电场将削弱内建电场,使空间电荷区变窄, 载流子扩散运动加强。 2 由能带理论可知,当导带中的电子与价带中的空穴复合时,电子由高能级向低能级 跃迁,同时电子将多余的能量以光子的形式释放开来,产生电致发光现象。 LED的发射 光波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放的能量,这个能量取决于半导体材料的禁 带宽度Eg( Eg=Ec-Ev),Ec为导带底附近的能槽,Ev为价带顶附近的能量。禁带宽度越大, 发出光波的波长就越短,即 其中 c 为光速,h 为普朗克常数。 发射光波长有一定的分布,光源发出的光谱有一定的宽度,这主要是因为导带和价 带都是由许多连续能级组成的有一定宽度的能带,两个能带中不同能级之 间电子的跃迁会产生连续波长的辐射光。实验仪采用的 LED 光源中心波长为 850nm 。 2、PIN 型光电二极管的结构和工作原理 光电二极管把光信号转换为电信号的功能,是由半导体 PN 结的光电效应实现的。 光电二极管的基本结构是 PN 结。当外加反偏电压方向与 PN 结内电场方向一致时, 用光照射 PN 结及其附近时就产生光生载流子,光生载流子在势垒区电场作用下漂移过 结,参与导电。当入射光强变化时,光生载流子浓度及通过外电路的光电流随之变化, 这种变化特性在入射光强很大的范围内保持线性关系,来保证了光功率在很大范围内 与电压有如下线性关系 其中 P 为光功率, U 为 PN 结两端电压, K 为比例系数。 3 由于 PN 结耗尽层只有几微米,大部分入射光被中性区吸收,因而光电转换效率低, 响应速度慢。为改善器件的特性,在 PN 结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称 为 I) ,这种结构便是常用的 PIN 光电二极管。 PIN 光电二极管的工作原理和结构见图 1.3 。中间的I层是N型掺杂浓度很低的本征 半导体,用Ⅱ(N)表示;两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,用P+和N+表示。I层 很厚,吸收系数很小,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子—空穴对, 因而大幅度提升了光电转换效率。两侧P+层和N+层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几 乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,从而大幅度的提升了响应速度。 另外,可经过控制耗尽层的宽度ω,来改变器件的响应速度。 PIN 光电二极管具有如下主要特性: (1)量子效率和光谱特性。光电转换效率用量子效率 η 或响应度 ρ 表示。量子效率 η 的定义为一次光生电子一空穴对和放射光子数的比值 响应度的定义为一次光生电流Ip,和入射光功率P0的比值 式中,hf 为光子能量,e 为电子电荷。 量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。假设器件表面反射率为零,P 层和 N 层对量子效率的贡献可忽略,在工作电压下,I 层全部耗尽,那么 PIN 光电二 极管的量子效率可以近似表示为 4 式中,a(λ)和 d 分别为 I 层的吸收系数和厚度。由上式能够正常的看到,当 a(λ)d

  1 时, η→1 ,所以为提高量子效率 η,I 层的厚度 d 要足够大。 量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱a(λ)。对于λc,满足以下关系:λc= hc/Eg (2)响应时间和频率特性。光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间 τ或截止频率fc表示。对于数字脉冲调制信号,把光生电流脉冲前沿由最大幅度的 10% 上升到 90 %,或后沿由 90%下降到 10%的时间,分别定义为脉冲上升时间τr和脉冲下 降时间τf 。当光电二极管具有单一时间常数τ0时,其脉冲前沿和脉冲后沿相同,且接近 指数函数exp(t/τ0)和 exp(-t/τ0),由此得到脉冲响应时间 对于幅度一定,角频率为ω=2πf的正弦调制信号,用光生电流I(ω)下降在 3dB的频 率定义为截止频率fco。当光电二极管具有单一时间常数τ0时, PIN 光电二极管响应时间或频率特性主要由光生载流子在耗尽层的渡越时间τd和 包括光电二极管在内的检测电路RC常数所确定。当调制频率ω与渡越时间τd的倒数可以 相比时,耗尽层(I层)对量子效率η(ω)的贡献可以表示为 由η(ω)/ η(0)=1/ 2 得到由渡越时间τd限制的截止频率 式中,渡越时间τd=d /νs, , d为耗尽层宽度,νs为载流子渡越速度,比例于电场强 度。由式(1-8)和式(1-9)能够准确的看出,减小耗尽层

  宽度d,能减小渡越时间τd, 来提升截止频率fc。 由电路 RC 时间常数限制的截止频率 式中,Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和,Cd为结电容Cf和管壳分布电容 Ck的总和。 5 式中,ε为材料介电常数,A 为结面积,d 为耗尽层宽度。 (3)噪声。噪声是反映光电二极管特性的一个重要参数,它直接影响光接收机的灵敏 度。光电二极管的噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声(Shot Noise)和由负载 电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声。噪声通常用均方噪声电流(在 IΩ负载上消 耗的噪声功率)来描述。 均方散粒噪声电流 式中,e为电子电量,B为放大器带宽,Ip和Id分别为信号电流和暗电流。 第一项 2eIpB称为量子噪声,是由于入射光子和所形成的电子—空穴对都具在离散性 和随机性而产生的。只要有光信号输入就有量子噪声。这是一种不可克服的本征噪声, 它决定光接收机灵敏度的极限。 第二项 2eIpB是暗电流产生的噪声。暗电流是器件在反偏压条件下,没有入射光时产 生的反向直流电流,它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本 征暗电流。暗电流与光电二极管的材料和结构有关,例如Si- PIN,Id

  100nA 。 均方热噪声电流 s 式中,k =l.38×10-23J/K,为玻耳兹曼常数,T为等效噪声温度,R为等效电阻,是负 载电阻和放大器输入电阻并联的结果。 因此,光电二极管的总均方噪声电流为 四 实验内容及操作要点 1、连接光路,取出发射-接收光纤,分别与 PIN 接口及 LED 接口相连。 2、接通电源, LED 驱动电流显示窗上将指示出 LED 的驱动电流值,(单位:mA)。 调整电流调节按键使电流达到最小。 6 3、每隔 2.5mA ,对应

  下经光电转换放大后的输出电压值(单位: mV ) ,此电压 值正比于光输出功率。 五 数据记录及处理 1、把直接测量数据 I、U 填入下表,并根据 1—2 式算出 P 值。 次 数 1 2 3 4 5 6 7 I(mA) U(mV) P(uW) 次 数 8 9 10 11 12 13 14 I(mA) U(mV) P(uW) 2、依据数据作 LED 光源的 I - P 特性曲线。 实验二 光纤纤端光场径向分布的测试 光纤纤端光场的分布是反射式光纤传感实验的基础。通过纤端光场的分布的测量可 以给使用者以直观的印象,并且对光纤传光特性有一定的定性和定量的掌握。同时,它 的测量涉及到光纤传感器的设计、使用方法等基本问题,具备极其重大意义。 一、实验目的 1. 了解“光纤传感实验仪”的基本构造和原理,熟悉其各个部件,学习和掌握其正确使用 方法; 2.定性了解光纤纤端光场的分布,掌握其测量方法、步骤及计算方式; 3.测量一种光纤的纤端光场分布,绘出纤端光场分布图。 二、实验仪器 光纤传感实验仪主机(图 1)、接收光纤(图 2)、发射光纤(图 3)、准三维调节架(图 4)。 7 图 1 光纤传感实验仪主机 0 0 0 0 0 0 0 0 DL UL mA µW mV FOS-III Fiber-optic Sensing Instrument 光纤传感实验仪 哈尔滨智能光电 科技有限公司 LED PIN AUTO PRO RET DOWN UP LED—光源输出插座; PIN—光探测器输入插座; AUTO—自动步进键; PRO—编程控制键; UP、DOWN—配合 PRO 设定输出电流上下限; SET—设置键; UL、DL、mA、mV、µV—仪器显示状态指示灯。 LED PIN 黑色 红色 图2 反射接收光纤组件 反射接收探头 PIN 黑色 图3发射接收光纤组件 透射接受探头 图 4 二维调节架 三、实验原理 按照光纤传输的模式理论,在光纤中光功率按模式分布。叠加后的光纤纤端光场场强 沿径向分布可近似由高斯型函数描写,称其为准高斯分布。另外沿光纤传输的光可以近似 看作平面波,此平面波在纤端出射时,可等价为平面波场垂直入射到不透明屏的圆孔表面 上,形成圆孔衍射。真实的情况接近于两者的某种混合。为

  方便起见,作以下假设: 光纤端面:光场是由光强沿径向均匀分布的平面波和光强沿径向为高斯分布的高斯光 束两部分构成的。 出射光场:纤端出射光场由准平面波场的圆孔衍射和在自由空间中传输的准高斯光束 叠加而成。 在以上假设下可推导出理论公式(1)(详细推导请参照参考文献[1]) ),( zrI r ⎪⎭ ⎪⎬ ⎫ ⎪⎩ ⎪⎨ ⎧ ⎥⎥⎦ ⎤ ⎢⎢⎣ ⎡ +−++= 2202 22 0 2 4 0 222 22 02 0 2 12 2 02 0 )(4 2 exp )4( )2( )( ω ω ωλ πω kz rk kz qa z krJ r apI (1) 式(1)表明,纤端出射光场场强分布是由不同权重下的高斯分布和平面波场的圆孔衍射分布 叠加的结果。 8 纤端光场既不是纯粹的高斯光束,也不是纯粹的均匀分布的几何光束,为了更好地 与真实的情况符合,我们综合这两种近似情况,并引入无量纲调合参数ξ,能给出如下 结果 ⎥⎦ ⎤⎢⎣ ⎡ += 023 0 0 )(1)( θξσω tga zaz (2) 实际使用的过程中,对于渐变折射率光纤有时取σ=2-1/2;对于突变折射率分布的光纤通 常取σ=1,对于芯径较粗的多模光纤而言,衍射效应基本上被平均化了,即取 1,0 ≈≈ qp 。 因而对于大芯径多模光纤,为使用起来更便捷,式(1)通常取如下形式 I= [ ] [ ] ⎪⎭ ⎪⎬ ⎫ ⎪⎩ ⎪⎨ ⎧ + −⋅+ 22/30202 2 22/3 0 2 0 2 0 )/(1 exp )/(1 cc tgaza r tgaza I θξσθξσ (3) 四、实验内容及操作要点 1、将光源光纤卡在纵向微动调节架上,将探测光纤卡在横向微动调节架上,并使两 光纤探头间距调到约 1mm 左右; 2、接通电源,将 LED 驱动电流调到指定电流(35mA); 3、调整横向微动调节旋钮和光纤卡具并观察电压输出使之输出最大,此时可认为入 射光纤和出射光纤已对准; 4、调整纵向微动调节架,将探测光纤推进到与光源光纤即将接触的位置记录下螺旋 测微器的读数,然后将纵向微动调节架向相反的方向旋转 0.5mm(两光纤探头的间距) 停止; 5、沿某一方向旋转横向微动调节架,直至输出电压为零,再向相反的方向旋转一点, 记录螺旋测微器的读数,继续向该方向旋转,每转过 5 个小格记录电压输出值,直至电 压再次变为零; 6、将两光纤探头的间距调到 1.0mm,重复步骤 5。 五、实验数据及数据处理 在同一坐标纸上作出两条曲线(数据表格自行设计)。 注:(两光纤探头的间距也可自行设定,也可根据自身的需求测出多条实验曲线。还可以改 变 LED 的驱动电流,然后再作曲线,以获得在不同驱动电流下的输出特性。或根据需要 自行设计实验内容。) 实验三 光纤纤端光场轴向分布的测试 随着光通信技术的发展,派生出了光纤光纤传感技术及光纤传感器的应用。就外部 调制型光纤传感器而言,如反射接收型、直接入射型、光闸型等等,一般由入射光源光 纤、调制器件及接收光纤组成。而接收光纤所收集到的光强随外界物理扰动而变化,其 光强响应特性曲线是这类传感器的设计依据,大多与光纤出射的光场相关。因而,光纤 出射光场的场强分布对于这类传感器的分析和设计至关重要。通过纤端光场的分布的测 量有助于使用者了解纤端光场的分布特点,并且对光纤传光特性有一定的定性和定量的 掌握。 9 一、实验目的 1. 了解“光纤传感实验仪”的基本构造和原理,熟悉其各个部件,学习和掌握其 正确使用方法; 2. 定性了解光纤纤端光场的分布,掌握其测量方法、步骤及计算方法; 3. 定量的测量一种光纤的纤端光场分布,绘出纤端光场分布图。 二、实验仪器 光纤传感实验仪主机(图 1)、接收光纤(图 2)、发射光纤(图 3)、准三维调节架(图 4)。 三、实验原理 按照光纤传输的模式理论,在光纤中光功率按模式分布。叠加后的光纤纤端光场场强 沿径向分布可近似由高斯型函数描写,称其为准高斯分布。另外沿光纤传输的光可以近似 看作平面波,此平面波在纤端出射时,可等价为平面波场垂直入射到不透明屏的圆孔表面 上,形成圆孔衍射。实际情况接近于两者的某种混合。为分析方便起见,作以下假设: 光纤端面:光场是由光强沿径向均匀分布的平面波和光强沿径向为高斯分布的高斯光 束两部分构成的; 出射光场:纤端出射光场由准平面波场的圆孔衍射和在自由空间中传输的准高斯光束 叠加而成。 在以上假设下可推导出理论公式(1)(详细推导请参照参考文献[1]) ),( zrI r ⎪⎭ ⎪⎬ ⎫ ⎪⎩ ⎪⎨ ⎧ ⎥⎥⎦ ⎤ ⎢⎢⎣ ⎡ +−++= 2202 22 0 2 4 0 222 22 02 0 2 12 2 02 0 )(4 2 exp )4( )2( )( ω ω ωλ πω kz rk kz qa z krJ r apI (1) 式(1)表明,纤端出射光场场强分布是由不同权重下的高斯分布和平面波场的圆孔衍射 分布叠加的结果。 纤端光场既不是纯粹的高斯光束,也不是纯粹的均匀分布的几何光束,为了更好地 与实际情况符合,我们综合这两种近似情况,并引入无量纲调合参数ξ,可以给出如下 结果 ⎥⎦ ⎤⎢⎣ ⎡ += 023 0 0 )(1)( θξσω tga zaz (2) 实际使用过程中,对于渐变折射率光纤有时取σ=2-1/2;对于突变折射率分布的光纤 通常取σ=1,对于芯径较粗的多模光纤而言,衍射效应基本上被平均化了,即取 。因而对于大芯径多模光纤,为使用方便,式(1)通常取如下形式 1,0 ≈≈ qp I= [ ] [ ] ⎪⎭ ⎪⎬ ⎫ ⎪⎩ ⎪⎨ ⎧ + −⋅+ 22/30202 2 22/3 0 2 0 2 0 )/(1 exp )/(1 cc tgaza r tgaza I θξσθξσ (3) 四、实验内容及操作要点 1、将光源光纤卡在纵向微动调节架上,将探测光纤卡在横向微动调节架上,并使两 光纤探头间距调到约 1mm 左右; 2、接通电源,将 LED 驱动电流调到指定电流(如:40mA); 3、调整横向微动调节旋钮和光纤卡具并观察电压输出使之输出最大,此时可认为入 射光纤和出射光纤已对准; 10 4、调整纵向微动调节架,将探测光纤推进到与光源光纤即将接触的位置记录下螺旋 测微器的读数,然后将纵向微动调节架向相反的方向旋转,每转过 5 个小格记录电压输 出值,直至输出电压变为零。 五、实验数据及数据处理 在坐标纸上作出理论曲线和实验曲线。 注:(还能改变 LED 的驱动电流,然后再作曲线,以获得在不同驱动电流下的输 出特性。或根据自身的需求自行设计实验内容。) 实验四 反射式光纤位移传感实验 光纤传感实验仪是由多种形式的光纤传感器组成,是集教学和实验于一体的传感测 量系统,它具有结构相对比较简单,灵敏度较高,稳定性高,切换方便,应用场景范围广等特点。在实 验过程中,我们用光纤传感实验仪构成反射式光纤微位移传感器,可用以测量多种可转 换成位移的物理量。 一、实验目的: 1、了解“光纤传感实验仪”的基本构造和原理,熟悉其各个部件,学习和掌握其正确 使用方法; 2、了解一对光纤(一个发光、一个接收光)的反射接收特性曲线、学习掌握最简单、最基本的光纤位移传感器的原理和使用方法。 二、实验仪器: 光纤传感实验仪主机(图 1)、反射接收光纤(图 2)、准三维调节架(图 3)。 三、实验原理: 采用的光纤传感器的原理如图 4 所示。光纤探头 A 由两根光纤组成,一根用于发射 光,一根用于接受反射镜反射的光,R 是反射镜。系统可工作在两个区域中,前沿工作 区和后沿工作区(见图 5)。当在后沿区域中工作时,能够得到较宽的动态范围。 就外部调制非功能型光纤传感器而言,其光强响应特性曲线是这类传感器的设计依 据。该特性调制函数可借助于光纤端出射光场的场强分布函数给出 φ πσ ξ σ ξ( , ) [ ( / ) ] exp [ ( / ) ]/ /r x I a x a r a x a = + ⋅ − + ⎧⎨⎩ ⎫⎬⎭ 0 2 0 2 0 3 2 2 2 2 0 2 0 3 2 21 1 (1) I xA ( ) I A0 R A 等效镜面光纤接收光纤 光源光纤 X r xx (b)等价光纤坐标系统(a)光纤探头示意图 图 4 光纤反射调制原理图 式中 为由光源耦合入发送光纤中的光强;I0 φ( , )r x 为纤端光场中位置 ( , )r x 处的光通 量密度;σ 为一表征光纤折射率分布的相关参数,对于阶跃折射率光纤,σ = 1;a 为光0 11 纤芯半径;ξ 为与光源种类、光纤的数值孔径及光源与光纤耦合情况有关的综合调制参 数。 如果将同种光纤置于发送光纤纤端出射光场中作为探测接收器时,所接收到的光强 可表示为 ds x r x IdsxrxrI S S ∫∫ ∫∫ ⎭⎬ ⎫ ⎩⎨ ⎧⋅== )( exp )( ),(),( 2 2 2 0 ωπωφ (2) 式中 (3) ])/(1[)( 2/300 axax ξσω += 这里,S 为接收光面,即纤芯端面。 在纤端出射光场的远场区,为简便计,可用接收光纤端面中心点处的光强来作为整 个纤芯面上的平均光强,在这种近似下,得到在接收光纤终端所探测到的光强公式为 ⎭⎬ ⎫ ⎩⎨ ⎧−⋅= )( exp )( ),( 2 2 2 0 x r x SIxrI ωπω (4) 如图 4 所示的光纤传感探头,当光纤传感器固定时,反射器可在光纤探头前作垂直 于探头方向的移动。设反射面到探头的间距分别为 x,则如图 4(b)所示,光纤探头的 调制函数为 ⎭⎬ ⎫ ⎩⎨ ⎧−⋅= )2( exp )2( )( 2 2 2 0 x r x RSIxI A ωπω (5) 对于本系统模块设计采用的多模光纤,σ = 1,光纤芯半径 a m ,两光纤间距m0 01= . r mm≈ 0 34. ,综合调制参数ξ = 0 026. 。其归一化理论曲线 距离(mm) 光 强 分 布 图 5 反射式调制特性曲线 四、实验内容和要求: 1、 反射式光纤位移传感器的调制特性曲线的测量 实验步骤: (1)、将反射式光纤探头卡在纵向微动调节架上,对准反射器并使光纤探头与反射 镜间距调到约 0.1mm 左右; (2)、接通电源,将 LED 驱动电流调到指定电流; (3)、调整纵向微动调节架,将探测光纤推进到与反射镜表面即将接触的位置记录 下螺旋测微器的读数,然后停止; (5)、沿某纵向向远离反射镜的方向旋转微动调节架,每次调节 0.1mm 并记录螺旋 测微器的读数和电压输出值,直至 5mm; 12 (6)、在坐标纸上作出一条曲线。 实验五 微弯式光纤位移传感器 微弯式光纤传感器是根据光纤微弯变形引起纤芯或包层中传输的光载波强度变化的 原理制成的全光纤型传感器。微弯式传感技术可分为亮场型和暗场型两种。前者是通过 对纤芯中光强度的变化来实现信号能量的转换;而后者则检测包层中的光信号。本实验 是利用光纤微弯变形引起纤芯中传输的光波强度的变化来实现位移或压力的检测。 一、实验目的: 1、了解光纤弯曲损耗的机理极其特性; 2、学习利用弯曲损耗测量位移的方法; 3、学习利用弯曲损耗测压的方法。 二、实验仪器: 光纤传感实验仪主机(图 1)、发射与接收光纤(图 2)、准三维调节架(图 3)。 三、实验原理: 微弯型光纤传感器的原理结构如图 4 所示。当光纤发生弯曲时,由于其全反射条件 被破坏,纤芯中传播的某些模式光束进入包层,造成纤芯中的光能损耗。为了扩大这种 效应,我们把光纤夹持在一个周期波长为Λ的梳妆结构中。当梳妆结构(变形器)受力时, 光纤的弯曲情况将发生明显的变化,于是纤芯中跑到包层中的光能(即损耗)也将发生明显的变化。 近似的把光纤看成是正弦弯曲,其弯曲函数为 (1) , ),0(0 )0(sin )( ⎩⎨ ⎧

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